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    TLV272IDR通用运放参数资料【芯耀威科技】2022已更新(今日/资讯)(2023推荐)(市场驱动)
    发布时间:2023-03-21 00:38:58

TLV272IDR通用运放参数资料【芯耀威科技】2022已更新(今日/资讯)

铝互连工艺始于铝沉积、光刻胶应用以及与显影,随后通过刻蚀有选择地去除任何多余的铝和光刻胶,然后才能进入氧化过程。前述步骤完成后再不断重复光刻、刻蚀和沉积过程直至完成互连。

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除了具有出色的导电性,铝还具有容易光刻、刻蚀和沉积的特点。此外,它的成本较低,与氧化膜粘附的效果也比较好。其缺点是容易腐蚀且熔点较低。另外,为防止铝与硅反应导致连接问题,还需要添加金属沉积物将铝与晶圆隔开,这种沉积物被称为“阻挡金属”。

铝电路是通过沉积形成的。晶圆进入真空腔后,铝颗粒形成的薄膜会附着在晶圆上。这一过程被称为“气相沉积 (VD) ”,包括化学气相沉积和物相沉积。

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随着半导体工艺精密度的提升以及器件尺寸的缩小,铝电路的连接速度和电气特性逐渐无法满足要求,为此我们需要寻找满足尺寸和成本两方面要求的新导体。铜之所以能取代铝的个原因就是其电阻更低,因此能实现更快的器件连接速度。其次铜的可靠性更高,因为它比铝更能抵抗电迁移,也就是电流流过金属时发生的金属离子运动。

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高温Latch-up可耐受更高脉冲电流供货情况以及订货信息HK32F030A/031A系列提供多种封装:LQFP64/LQFP48/LQFP32/QFN32/QFN28/TSSOP20HK32F030A系列提供以下型HK32F030RBT6AHK32F030CBT6AHK32F030R8T6AHK32F030C8T6AHK32F030C6T6AHK32F030K6T6AHK32F030F4P6AHK32F031A系列提供以下型HK32F031C6T6AHK32F031C4T6AHK32F031K6T6AHK32F031K6U6AHK32F031K4U6AHK32F031G6U6AHK32F031G4U6AHK32F031F6P6AHK32F031F4P6A全系列支持-40℃-105℃工作温度范围。

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内置AES-128高级加密,支持HASH算法、随机数发生器,具有更高安全性能。适用于物联网、信息安全、可信计算等领域。主要性能特点oArmCortex-M032位内核,运行频率高达96MHzo提供高128KBFLASH,10KBSRAMo2路USART、1路LPUART、2路SPI。主要性能特点ArmCortex-M032位内核,运行频率高达96MHz提供高128KBFLASH,10KBSRAM2路USART、1路LPUART、2路SPI,I2S、2路I2C1个高级定时器,可输出通道带互补端口的PWM,支持死区和刹车1个32位通用定时器、5个16位通用定时器、1个LPTimer、基本定时器、RTC定时器1组12-bitSARADC。